LED封裝方式是以晶粒(Die)藉由打線、共晶或覆晶的封裝技術與其散熱基板Submount(次黏著技術)連結而成LED晶片，再將晶片固定於系統板上連結成燈源模組太阳能路灯 太阳能发电 。
目前，LED封裝方法大致可區分為透鏡式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透鏡的成型可以是模塑成型(Molding)或透鏡黏合成型；如圖一(a)所示，而反射杯式晶片則多由混膠、點賿、封裝成型；如圖一(b)所示。近年來磊晶、固晶及封裝設計逐漸成熟，LED的晶粒尺寸與結構逐年微小化，高功率單顆晶粒功率達1~3W，甚至是3W以上，當LED功率不斷提昇，對於LED晶粒載版及系統電路版的散熱及耐熱要求，便日益嚴苛。
鑑於絕緣、耐壓、散熱與耐熱等綜合考量，陶瓷基板成為以晶粒次黏著技術的重要材料之一。其技術可分為厚膜製程(Thick film)、低溫共燒製程(LTCC)與薄膜製程(DPC)等方式製成。然而，厚膜製程與低溫共燒製程，是利用網印技術與高溫製程燒結，易產生線路粗糙、對位不精準、與收縮比例問題，若針對線路越來越精細的高功率LED產品，或是要求對位準確的共晶或覆晶製程生產的LED產品而言，厚膜與低溫共燒的陶瓷基板，己逐漸不敷使用。
為此，高散熱系數薄膜陶瓷散熱基板，運用濺鍍、電／化學沉積，以及黃光微影製程而成，具備金屬線路精準、材料系統穩定等特性，適用於高功率、小尺寸、高亮度的LED的發展趨勢，更是解決了共晶／覆晶封裝製程對陶瓷基板金屬線路解析度與精確度的嚴苛要求。而璦司柏電子除了生產薄膜陶瓷散熱基板外，又為符合不同照明需求，另外開發出薄膜陶瓷COB(Chip On Board)散熱基板。下表一即為璦司柏COB陶瓷基板解決方案。
當LED晶粒以陶瓷作為載板時，此LED模組的散熱瓶頸則轉至系統電路板，其將熱能由LED晶片傳至散熱鰭片及大氣中，隨著LED晶粒功能的逐漸提昇，材料亦逐漸由FR4轉變至金屬芯印刷電路基板(MCPCB)，但隨著高功率LED的需求進展，MCPCB材質的散熱系數(2~4W/mk)無法用於更高功率的產品，為此，陶瓷電路板(Ceramic circuit board)的需求便逐漸普及，下表二即為各種基板材料的特性分析。為確保LED產品在高功率運作下的材料穩定性與光衰穩定性，以陶瓷作為散熱及金屬佈線基板的趨勢已日漸明朗。陶瓷材料目前成本高於MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散熱系數特性下，節省材料使用面積以降低生產成本，成為陶瓷LED發展的重要指標之一。因此，近年來，以陶瓷材料COB設計整合多晶封裝與系統線路亦逐漸受到各封裝與系統廠商的重視。
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