衬底：
·蓝宝石（Al2O3）
·硅 (Si）
·碳化硅（SiC）
1、蓝宝石衬底
通常，GaN基资料和器材的外延层首要成长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的长处：首要，蓝宝石衬底的生产技术老练、器材质量较好；其次，蓝宝石的
稳定性极好，可以运用在高温成长过程中；最终，蓝宝石的机械强度高，易于处置和清洁。因而，大多数技术通常都以蓝宝石作为衬底。图1示例了运用蓝宝石衬
底做成的LED芯片。
运用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中发生很多缺点，一起给后续的器材加工技术形成艰难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制造笔直布局的器材；通常只在外延层上外表制造n型和p型电极（如图1所示）。在上外表制造两个电极，形成了有用发光面积削减，一起添加了器材制造中的光刻和刻蚀技术进程，成果使资料利用率下降、本钱添加。由于P型GaN掺杂艰难，当时遍及选用在p型GaN上制备金属通明电极的办法，使电流分散，以到达均匀发光的意图。可是金属通明电极通常要吸收约30%~40%的光，一起GaN基资料的化学功能安稳、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因而在刻蚀进程中需求较好的设备，这将会添加生产本钱。
蓝宝石的硬度十分高，在天然资猜中其硬度仅次于金刚石，可是在LED器材的制造进程中却需求对它进行减薄和切开（从400nm减到100nm左右）。添加完结减薄和切开技术的设备又要添加一笔较大的出资。
蓝宝石的导热功能不是极好（在100℃约为25W/（m·K））。因而在运用LED器材时，会传导出很多的热量；特别是对面积较大的大功率器材，导热功能是一个十分重要的思考要素。为了战胜以上艰难，很多人企图将GaN光电器材直接生长在硅衬底上，然后改进导热和导电功能。
2、硅衬底
当前有有些LED芯片选用硅衬底。硅衬底的芯片电极可选用两种触摸方法，分别是L触摸（Laterial-contact ,水平触摸）和V触摸（Vertical-contact，笔直触摸），以下简称为L型电极和V型电极。经过这两种触摸方法，LED芯片内部的电流可所以横向活动的，也可所以纵向活动的。由于电流能够纵向活动，因而增大了LED的发光面积，然后提高了LED的出光功率。由于硅是热的良导体，所以器材的导热功能能够显着改进，然后延长了器材的寿数。