这一新的BCD工艺特色在于提供12伏至60伏的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米，并有数个数字核心模快可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支持0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。
借着新工艺所提供的多项整合特色，可减少系统产品的物料清单。高压DMOS不仅提供MOSFET开关整合，降低零组件数目外，其他可被整合的零组件还包括：高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zenerdiode)等，也可降低外部零组件数，并显著地缩小电路板的面积。
DMOS工艺支持专业集成电路制造中领先的漏极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如：对一特定的60V NLDMOS元件，当BV>80V时，其Rdson为72mohm-mm2)以及其高电流驱动能力，可由元件尺寸的最佳化来提升功率效率；可靠的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想；还有更多详细的特性分析亦可作为有用的参考，使IC设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。
在COMS方面，5伏工作电压能支持占空比脉冲宽度调变器(PulseWidthModulationcontroller)的设计，而2.5伏及1.8伏的逻辑核心，则通用于较高层次的数字整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，也可提供强化的数字程式设计使用。
台积电工业电子开发处刘信生处长指出，就驱动元件整合来说，新的LED驱动IC的BCD工艺是非常尖端的技术，其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型，提供单芯片设计更多的方便性。除此之外，MismatchingModEL可协助提升目前在多通道LED驱动器设计上的精准度。
