普瑞光电企业行销总监Brian Fisher表示，该公司Vero将完全颠覆市面上的LED阵列产品，助力客户开发出更高性价比的LED照明灯具方案。
普瑞光电企业行销总监Brian Fisher表示，相较于前一代LED阵列，普瑞光电Vero系列产品采用重新设计的COB封装技术架构，助力提升LED阵列的每流明密度，以降低LED阵列每流明单价；并可改善每颗LED晶片光填充量(Optical Fill)与热不一致性的弊病，以简化挑选LED驱动IC的复杂性；同时改善光学控制和窄光束(Narrow Beam)光学，有利于设计出更微型化与更精密的光源。
Fisher指出，与市面上的LED阵列产品相比，Vero系列产品在相同的光源尺寸、色温及演色性之下，提供的流明数显著高出数倍之多，特别是适用于零售店与路灯应用的大尺寸LED阵列，流明数差距最高可达八倍之多。Vero系列产品发光效率达每瓦110流明、色温可达3,000K、演色性(CRI)高达80及最高流明数高达16,300流明。
另一方面，普瑞光电也藉由系统级封装(SiP)技术，于LED阵列中整合更多光学元件，协助LED灯具客户量产更具价格竞争力的方案。Fisher强调，LED灯具价格要媲美传统光源，LED阵列封装与灯具系统设计为两大关键。从LED灯具成本观之，目前LED光源仅占总体成本25～30%，显见LED光源成本已非决定灯具售价的最大因素，如何降低其他元件的单价同样至关重要。
不同于前一代LED阵列与竞争对手产品，Vero采用SiP技术将二维(2D)条码、焊盘(Solder Pad)、光学定位(Optic Locating)功能等光学及功能元件整合在LED阵列当中，将可明显减少客户开发、制造及装配其他光学与功能元件的成本。Fisher谈到，未来该公司亦计画于LED阵列中整合无线技术、生产履历、感测器等功能，进一步实现智慧光源。
Fisher进一步透露，该公司矽基氮化镓(GaN-on-Si)LED晶片将于2013年上半年正式量产，一旦采用矽基氮化镓LED，LED阵列透过SiP技术将更容易整合更多功能，更能迎合在单一LED阵列平台整合更多功能和元件的市场趋势。
