一、DZX-1588ASR点阵模块每片有8*8共64个像素点,每一个像素点由红绿兰三种发光芯片组成,制造全彩模块需要四元高亮度的发光芯片,这种发光芯片是由P型与N型半导体组合而成的,其实际就是发光二极管。
二、正向电压：用字母Vf表示。当晶片正向导通时，加在LED两端的电压（单位为V）定义为LED的正向电压。出厂检验标准:在正向电流IF=20mA的条件下,三种芯片VF范围分别为:1.6V<R(红)<2.3V 2.8V<G(绿)<3.6V 2.8V<B(兰)<3.6V。
三、正向电流：晶片正向导通时，通过PN结的电流（单位为mA）。允许最大正向电流25mA,建议客户使用时,点全亮用电流表串连恒流IC的输出脚与模块脚之间测试其电流最好为18mA,不要大于20mA为宜,大于20mA长时间点亮会产生大量的热,芯片亮度容易衰减或者对其电性的稳定有影响。
四、反向电压：晶片能够长期承受的反向加在PN结两端的最大电压（单位为V）叫反向电压。一般只有5-30V。建议客户在生产使用和包装过程中，尽量避免使用易产生静电的泡沫塑料板，可选用珍珠棉等不易产生静电的材料包装.试验结果表明:静电大于500V（人体模式）会对发光芯片造成损伤而反向漏电(IR>100μA)芯片发光暗亮或者在驱动板上会导致其它不该亮常亮。
五、反向电流：当加上5V的反向电压，通过PN结的漏电流（单位为μA）。通常要求反向电流必须小于50μA。出厂检验标准:芯片的反向漏电流IR<10μA 。
六、使用环境：产品正常使用在室内,可承受的环境温度为-40℃～50℃。
七、贮藏温度：产品储存过程中，不会对产品性能产生影响的环境温度。一般情况下，其贮藏温度为-40℃—85℃。
八、焊接条件：烙铁一定要良好接地,防止烙铁漏电或者静电损坏发光芯片;作业员要求戴上有线的防静电环,防静电环要紧贴手臂,工作台要有防静电皮并良好接地;每个工位最好能配置离子风扇;最好采用恒温烙铁,由于管脚具有导热性，考虑到热胀冷缩的影响，焊接时不致损坏产品性能的最高温度。一般说来，焊接温度为300℃/3S，在同一点焊接时间最长不应超过15S。
二、正向电压：用字母Vf表示。当晶片正向导通时，加在LED两端的电压（单位为V）定义为LED的正向电压。出厂检验标准:在正向电流IF=20mA的条件下,三种芯片VF范围分别为:1.6V<R(红)<2.3V 2.8V<G(绿)<3.6V 2.8V<B(兰)<3.6V。
三、正向电流：晶片正向导通时，通过PN结的电流（单位为mA）。允许最大正向电流25mA,建议客户使用时,点全亮用电流表串连恒流IC的输出脚与模块脚之间测试其电流最好为18mA,不要大于20mA为宜,大于20mA长时间点亮会产生大量的热,芯片亮度容易衰减或者对其电性的稳定有影响。
四、反向电压：晶片能够长期承受的反向加在PN结两端的最大电压（单位为V）叫反向电压。一般只有5-30V。建议客户在生产使用和包装过程中，尽量避免使用易产生静电的泡沫塑料板，可选用珍珠棉等不易产生静电的材料包装.试验结果表明:静电大于500V（人体模式）会对发光芯片造成损伤而反向漏电(IR>100μA)芯片发光暗亮或者在驱动板上会导致其它不该亮常亮。
五、反向电流：当加上5V的反向电压，通过PN结的漏电流（单位为μA）。通常要求反向电流必须小于50μA。出厂检验标准:芯片的反向漏电流IR<10μA 。
六、使用环境：产品正常使用在室内,可承受的环境温度为-40℃～50℃。
七、贮藏温度：产品储存过程中，不会对产品性能产生影响的环境温度。一般情况下，其贮藏温度为-40℃—85℃。
八、焊接条件：烙铁一定要良好接地,防止烙铁漏电或者静电损坏发光芯片;作业员要求戴上有线的防静电环,防静电环要紧贴手臂,工作台要有防静电皮并良好接地;每个工位最好能配置离子风扇;最好采用恒温烙铁,由于管脚具有导热性，考虑到热胀冷缩的影响，焊接时不致损坏产品性能的最高温度。一般说来，焊接温度为300℃/3S，在同一点焊接时间最长不应超过15S。
