详细说明
VISHAY场效应管
型号：SI4166DY-T1-GE3
晶体管极性：N-Channel
汲极源极击穿电压：30V
闸源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：20.5A
电阻汲极源极RDS（导通）：0.0045 Ohms
配置：Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度：﹢150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8 Narrow
下降时间：15ns
正向跨导gFS(最大值/最小值）：65S
最小工作温度：﹣55°C
功率耗散：3W
上升时间：19ns
工厂包装数量：2500PCS/盘
典型关闭延迟时间：35ns
零件号别名：SI4166DY-GE3
本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3
郑重承诺：保证原装正品，假一赔十！
