芯片波段 ：520-530nm
驱动电流 ：350-700mA；
典型光效 ： 参看光通量表
发光角度 ：125°
光 衰 ： 常温25℃3024小时光衰〈1%
封装尺寸 ：3.5*3.5*2.0mm
热 阻 ：8°C/W
结 温 ：125℃
最小包装 ：1000 pcs/盘
极限参数（环境温度25℃）：
功率 Pd：1-3W
驱动电流 If：350-700mA
峰值电流(1/10占空比@10KHz) Ifp：1000mA
反向电压 Vr：5V
工作温度范围 Topr：-40°C ~ +80°C
储存温度范围 Tstg：-40°C ~ +80°C
结温 Tj：125°C
回流焊峰值温度 Tsol：<10s @260°C
封装材料
芯片材料 ： 氮化镓/氮化镓铟(GaN /InGaN)
封装材料 ： 硅胶
基板 ： 陶瓷
