一. 外延片物理尺寸
1. 直径：50.8±0.25mm（2″Φ）
2. 大切边长度：16±1.0mm
3. 厚度：430±25um
二. 外延片物理结构
P-type LayerP-GaNTotal thickness：
430 ± 25um
Etching depth: 11000~13000A
Active LayerMQW
N-type LayerN-GaN
SubstrateSapphire
三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）
检验项目检测条件备注
平均电压小于等于3.3V
圆片中心波长 （ｎｍ）＠350mA绿光外延片：500nm-545nm
圆片中心波长 （ｎｍ）＠350mA蓝光外延片：445nm-475nm
绿光亮度（ｍｃｄ） ＠350mA，520nm亮度10000mcd以上
蓝光亮度（ｍｃｄ） ＠350mA，460nm亮度260mW以上
良率（ESD2000V）>75%
漏电（uA）＠-5V）≤1
综合良率>75%
备注：
1、芯片尺寸为30×30mil；
2、ESD测试为人体模式2000ｖ；
3、外延表面为非粗化处理；
4、亮度标准为ITO制程下COW亮度；
5、波长范围可以根据合同要求调整；
四. 外延片表面检测标准
检验项目检测区域检测条件检查方法/仪器备注
表面整片表面颜色均匀聚光灯
异物面积小于4平方毫米（2mm*2mm）
异物个数小于5颗
镜下去边2mm，采用5点检测 有黑点区域小于2，区域内黑点个数小于5颗显微镜20X10
六角凸起个数在小于10颗
五. 包装
1. 每盒装25片，每箱装4-5盒；
2. 包装附带相应的产品出厂检测结果（外观，结构，表面，PL和同批次样品光电特性）；
3. 外延片上有激光识别编码。
