功率电子领域主要负责DC-DC转换、AC-DC转换、电机驱动等工作。需要更轻更小更高效率更便宜，目前有4种技术来对应这些要求，分别是silicon IGBT,Super Junction(SJ) MOSFETs,Gallium Nitride(GaN)and Silicon Carbide(SiC)-baseddevices.
GaN和SiC对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。
从功率处理能力来分，功率半导体分立器件可分为四大类，包括低压小功率分立器件(电压低于200V,电流小于200mA)、中功率分立器件(电压低于200V,电流小于5A)、大功率分立器件(电压低于500V,电流小于40A)、高压特大功率分立器件(电压低于2,000V，电流小于40A)。
IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年开始正式生产并逐渐系列化的器件，是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，其综合GTR和MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展最为迅速的新一代功率器件。
IGBT下游应用领域也非常广阔，从IGBT的耐压范围上来分，600V-1200V的IGBT主要用于电磁炉、电源、变频家电等产品，现阶段这部分市场的IGBT用量最大;低于600V的IGBT主要用于数码相机闪光灯和汽车点火器上;电压大于1200V的IGBT主要以1700V的IGBT为主，这部分产品主要用在高压变频器等工业产品上。
未来推动IGBT市场增长的最主要领域是变频器、变频家电、轨道交通产业、太阳能及风能可再生能源、混合动力车和纯电动车。出汽车外的市场都集中在中国.
变频器产业：变频器对电机转速和转矩进行实时调节，由此可以节约不必要的能源浪费。应用变频器的电动机节能效果明显，一般节能率在20%-30%，较高的可以超过50%，节能潜力巨大。由于变频器广泛应用到机械、油气钻采、冶金、石化、电力和市政等领域，具有广泛的下游应用需求，未来市场将有望保持持续增长，其中，我们预计高压变频器未来三年将保持40%以上的增速，而中低压变频器未来三年也将保持20%以上的增速。变频器市场快速的增长，将保证作为变频器主要原材料的IGBT的需求快速增长。
目前国内基本都是只能做到封装IGBT管,完全自主生产我没有看到,虽然南车说自己有8英寸线,但未听说正式投产。
不仅如此，英飞凌(Infineon)亦从艾司强(Aixtron)采购有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备，进一步将GaN半导体材料沉积在硅基板上，成功跨足该领域;而韩国乐金(LG)也采用相似手法展开布局。
另外，三星(Samsung)也在尝试研发硅基GaN为主的功率半导体;日本三肯(Sanken)也预计在2012年底～2013年，与Panasonic及古河(Furukawa)等大厂连手量产GaN组件。其他计划进入GaN开发的业者还包括荷兰的NXP(NXP)半导体，以及总部位于瑞士日内瓦的意法半导体(ST)。
一般来说，发展与测试一种新半导体材料的时间相当长，但随着世界各地大厂纷纷投入，很有可能在未来2～3年内就大量出现商用化的GaN产品。
硅基GaN磊晶目前单位价格跟往后在市场上的预估价格相比，便显得相当昂贵。
虽业界均看好GaN组件可提升电源转换效率，但仍面临诸多生产挑战。目前最关键的变量在于如何降低量产成本，也就是如何改善现有的6吋晶圆技术或直接跳到8吋
举例来说，IR正全力进行更完善的生产设备整合;而意法半导体或NXP则藉由购买磊晶Epitaxy，并以惯用的互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程生产，不须自行制作磊晶。此即回到营运模式与企业定位的问题，将反映成本结构上的差异，但目前很难进行比较。
与成本结构的发展情形相同，GaN组件结构也会因技术整合方式不同，而有所差异，IR与宜普目前都采取逆向工程方式，将1～1.5微米(μm)厚的GaN磊晶层镀在硅基板上;至于Epi GaN与位于德国专门制造磊晶的Azzurro半导体，则宣称可供应5～7微米厚的GaN层。后者将一举改变生产GaN组件的方式，若以崩溃电压为主要诉求更是如此。
除上述厂商以外，目前会另行采购磊晶制作GaN功率组件的通常是无晶圆厂公司，例如加拿大的GaNSystems、美国南卡罗莱纳州的Nitek，以及德国柏林的BeMiTec。这些公司的共通处是规模较小，由此可见，对磊晶业者来说GaN市场的前景并不明朗。
IR与EPC现在GaN市场取得领先，且皆已推出商用产品，不过，截至目前为止，来自GaN组件的营收还是相当低。也因此，EPC现正尝试与位于明尼苏达州的组件批发商Digi-Key接洽，期拓展销售管道。
在此同时，硅基GaN的发光二极管(LED)技术也正逐渐发挥影响力，将吸引更多功率组件采用相似构造。由于与功率电子相比，LED领域对GaN更加熟悉，故验证期相对较短，一旦硅基GaN的LED技术发展成熟，也将带动电源供应领域导入硅基GaN功率半导体的发展。
