硅衬底LED制造技术是不同于蓝宝石和碳化硅衬底的第三条LED芯片制造技术路线，与其他两种方法相比，具有四大优势。一是硅材料比蓝宝石和碳化硅价格便宜，而且生产效率更高，因此成本低廉，能使LED芯片成本比蓝宝石衬底芯片大幅降低;二是器件具有优良的性能，芯片的抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高;三是芯片封装工艺简单，芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需要单电极引线，简化了封装工艺，节约封装成本;四是具有自主知识产权，产品可销往国际市场，不受国际专利的限制。
虽然硅衬底技术有较好的发展前景，但是在产业化的过程中也存在一些技术难点。由于GaN外延材料与硅衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，因而会导致外延材料缺陷多、裂纹多，最终使得器件成品率低、发光效率低和可靠性差等问题。
由于硅衬底的诸多优势，国际上许多单位或研究机构均加大了对其技术研发的步伐。从2011年起，美国普瑞光电将研发重心转向硅衬底技术;韩国三星、LG、日本三垦电气、剑桥大学、马德伯格大学等一大批知名企业和研究机构也纷纷“进军”硅衬底技术;2012年东芝公司投入巨资并收购了美国的普瑞公司的硅技术部门;近日，晶电取得ALLOS Semiconductors硅基LED授权，并成功完成第一阶段的技术转移。面对国际企业的竞争压力，我国应保持先发优势，提升自主品牌的国际竞争力。
加强产业链良性互动 推动硅衬底技术协同创新
一是引导上下游企业联合攻关，实现硅衬底芯片的整体配套。由于硅衬底芯片封装的特殊性，封装形式和方法与蓝宝石衬底的芯片有些差别。目前国内大部分LED封装企业为蓝宝石衬底芯片配套，制约了硅衬底的大规模推广。应加强引导和集中支持硅衬底上下游骨干企业开展战略协作，进行联合攻关，实现关键技术的集中突破。
二是推进硅衬底技术创新，提升芯片竞争力。硅衬底芯片和蓝宝石衬底相比，在大功率芯片方面光效水平已经接近，但是需要进一步优化一致性、均匀性和可靠性等。同时，硅衬底的优势之一就是衬底面积不受限制，应加快衬底尺寸向6英寸甚至8英寸产业化推进，进一步降低制造成本，提升价格优势。
三是加强国产设备的应用推广，实现硅衬底芯片的国产化渗透。支持硅衬底研发过程中关键成套国产设备的验证与开发，包括MOCVD设备、光刻机、刻蚀机、封装设备等硅衬底各环节使用设备的配套研发，集聚多方资源，有序推进国产硅衬底LED芯片的推广应用，提升市场占有率。
加大应用市场拓展力度 开展硅衬底差异化品牌建设
一是挖掘细分市场，避免同质化竞争。硅衬底芯片主要应用在“一大一小”，即在大功率芯片和小尺寸芯片应用领域极具优势。大功率芯片方面应拓展室外特种LED照明市场，鼓励企业进一步找准隧道照明、路灯照明、景观照明等不同细分应用领域的发展方向;小尺寸芯片方面应面向背光和显示应用需求，发展液晶背光源和小间距显示屏市场的应用。细化硅衬底芯片应用领域，避免和蓝宝石芯片在相同应用上的低价恶性竞争。
二是瞄准新兴应用，抢占发展先机。开拓硅衬底LED芯片在智能照明系统、生态农业、医疗保健、汽车照明等领域的研发工作，鼓励企业瞄准新型应用领域开展技术创新，抢占发展先机。支持举办硅衬底技术相关论坛，面向用户需求，加大宣传力度，增强使用者对硅衬底芯片的认知度和普及率。
三是创新商业模式，打造自主品牌。鼓励硅衬底LED企业探索新型盈利模式，发挥互联网的优势，线上销售，线下体验和服务，增强产业链各环节的合作。引导企业找准市场定位，从思想意识、制度建设和资金投入等几方面入手，以创新为核心、以质量为生命、以市场为试金石、以政策为支撑，综合采用多种方式，积极推进硅衬底芯片的品牌建设工作。
注重硅衬底知识产权保护 健全LED芯片质量检测体系
一是创新驱动技术研发，加强核心专利布局。我国已经拥有硅基LED芯片相关专利200多项，主要是发明专利。应进一步以创新驱动技术创新，申请专利，培育商业标志，完善自主知识产权。鼓励企业重视专利布局，以硅衬底LED技术为核心，在外延生长、芯片制造、封装及应用领域等多个方面布局专利网，提升对国外的专利壁垒。
二是制定知识产权战略，增强预警意识。LED领域的专利战一触即发，知识产权已经成为一种竞争手段。应鼓励企业有效利用知识产权，制定战略体系，建立知识产权预警机制，监测国外重点竞争对手的专利动态信息，降低企业研发前、中、后整个过程中的知识产权风险。
三是加强产品质量监督，完善LED芯片检测指标。目前市场上LED芯片质量良莠不齐，应依托国家和地方质量监督检验中心，加强市场规范与监督，定期对LED芯片进行安全、节能、环保等方面指标检查，对不达标企业进行公开曝光和处罚，督促企业加强自身管理和技术，提升产品质量。进一步建立具备国际先进水平的第三方检测平台，提升检测能力和水平。
