考虑到涉及LED产业链的专利记录中，检索词和专利分类的不同，从三个方面制订相应的检索策略，首先是衬底外延相关的上游专利、芯片结构的中游专利、其次是使用了LED（含OLED）全称和半导体照明的下游有关专利、以及只使用LED简称的专利文献。本期从全球专利申请态势角度对半导体照明技术的发展情况进行综述。
一、专利趋势概况
截至2010年4月，全球共申请LED相关专利305100余篇，按照公开发表日期统计如表1所示：
表1 各年专利件数统计（数据更新时间：2010年4月30日）
下列各图（图1a、1b、2a、2b、3a、3b）显示了全球各国LED照明专利的发展情况：1998年以前，全球的半导体发光技术由于瓶颈受限一直处于较为缓慢的前期研发阶段，该时段对应专利的技术萌芽阶段；从1998年至2006年，半导体照明开始进入一个迅速增长通道，对应专利的发展阶段；此后，由于新的技术瓶颈和技术研发到成果、产业的广泛转换，该产业在2007年后开始进入稳定发展阶段，专利件数开始停止增长，甚至有下滑的趋势。
以下各图分别显示自1991年以来全球LED照明专利以公开日和优先权日的年度统计情况。取样数据分别是：在日申请数量、在美申请数量、在美授权数量、世界专利申请数量以及除美日以外的其他国家和地区的专利数量总和。 二、专利趋势解读 从上述各图可得到以下信息： 第一、全球的LED专利件数在1996年至2006年间一直保持快速增长，到2006年出现峰值，此后步入稳定阶段。造成上述原因是由于在1996年前，大功率LED蓝光外延材料一直未能顺利面世，全球研发人员在GaN和SiC两种材料的阵营展开激烈的竞争，然而RGB三基色中的蓝光这一重要角色迟迟未能登上历史舞台。率先打破这一僵局的是日本日亚公司职员“中村修二”，他创新性地制备出全球第一枚GaN基大功率的蓝光LED芯片，该突出贡献把全球提前带入高亮白光LED的新纪元，此后，有关大功率蓝光和白光LED的技术被广泛采纳和深入研究，各LED专利申请也由此进入井喷阶段（见图1 a）。 图1 a 以专利公开年份统计的全球LED专利数（柱形图） 第二、日本是一个较早介入LED技术研发的国家，该国的专利态势也相对其他国家（地区）提前进入各个专利演变阶段，在其他国家专利件数尚未有明显增长的时候（例如上世纪90年代初和2000年），该国的专利已经到达数量申请的顶峰，且率先进入稳定发展的成熟阶段，然后迅速减少，说明该国LED产业已经存在着较高的饱和度，有可能已经将研发重点向其他新兴技术领域转移，提前抢占其他技术制高点（见图1 b）。 图2 b 以专利优先权年份统计的全球LED专利数（线形图） 第四、根据日本专利法第六十七条规定：“专利权的存续期限，自申请公告之日起不得超过二十年”，故日本专利在1991年前所公开的专利开始出现批量失效的情况（见图3 b），我国应对这些到期或即将到期的专利给予充分重视；另外从图3 b可见，1992年后的日本专利（大部分是其国内发明人所申请）的生命力要明显强于其他国家（地区），1992年至今所申请的专利失效率仅为2.8%，而美国专利为16%，中国则为21.5%。这个数据显示了日本对专利的保护力度之强以及这些专利本身的有效利用率之高，也暗示了我国LED产业发展在逾越该国专利雷池的难度。
图2 a 以专利优先权年份统计的全球LED专利数（柱形图）
图3 a 至今仍在保护期限内全球LED专利数（线形图）
图1 b 以专利公开年份统计的全球LED专利数（线图）
第三、从2002年起，日本、美国各地区的专利申请量开始比其他地区的总和少，显示其他地区LED产业的崛起以及LED专利技术向全球扩张的趋势（见图2 b）。
图3 至今已失效的全球LED专利数（线形图）
