2012年3月东芝在展会上展出的OLED元件的发光效率为60lm/W。在此基础上东芝通过多种改进手段，比如(1)改变电子传输层的材料、(2)在作为透明电极明的ITO中追加金属辅助布线、(3)将背面电极(阴极)材料从原来采用的铝(Al)改为反射率高的其他材料等，大幅提高了发光效率。
凭借(1)和(2)两项手段，使发光效率在初期亮度为1000cd/m2的条件下提高到了78.6lm/W。而且还使工作电压比原来的3.62V大幅降低至3.14V。另外还凭借(3)，使发光效率在初期亮度为1000cd/m2的条件下进一步提高到了91lm/W。
为性能的提高带来大的余地
其实，(1)～(3)中的手段并不算新技术。不过，东芝的最大特点在于，未使用最近的"流行技术"，而是凭借简单的元件构造以及标准的发光材料实现了大面积、高效率且低电压动作。
而其他公司为了获得高发光效率，大多在元件的表面采用提高光提取效率的技术。比如，在透明电极附近增加高折射率层，以及在元件表面形成独有的光提取层等方法。
东芝在2012年6月举行的国际会议2012 SID International Symposium,Seminar & Exhibition上首次公开了该元件。当时，"竞争对手的技术人员也鼓励说，这么简单的元件能获得如此之高的发光效率，意味着OLED元件还有充分的提高发光性能的空间，今后再使用最近的新技术，或许还能使发光效率接近LED的水准"（东芝研究开发中心显示基础技术实验室负责人雨宫功）。
