| GaN LED11B芯片规格说明书 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品规格型号：EB11B020 |
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芯片尺寸 |
11mil×9mil (266μm×218μm) |
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芯片厚度 |
3.40mil (85μm±10μm) |
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P、N金电极尺寸 |
F90μm |
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P、N金电极厚度 |
1μm |
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P－透明电极 |
ITO |
² 光电参数：(TC=22℃，IF=20mA)
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性能参数 |
符号 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
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正向电压（V） |
VF1 |
IF=20mA |
3.0 |
3.2 |
3.6 |
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正向电压（V） |
VF2 |
IF=5mA |
2.5 |
2.8 |
3.0 |
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反向电流（μA） |
IR |
VR=8V |
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0.0 |
2 |
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反向电压（V） |
VZ |
IR=10μA |
10 |
25 |
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半谱宽度（nm） |
HW |
IF=20mA |
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21 |
30 |
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主波长（nm） |
λd |
IF=20mA |
450 |
460 |
470 |
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发光强度（mcd） |
IV |
IF=20mA |
30 |
45 |
80 |
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最大电流（mA） |
Imax |
DC |
20 |
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² 注释：
(1)产品传送及封装过程中应有静电保护。
(2)光电系数均系蓝光科技测试仪器在晶圆条件下测试，98％符合标称值范围。
(3)上海蓝光可接收客户特殊规格。
