| GaN LED12D芯片规格说明书 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品规格型号：EB12D020 |
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芯片尺寸 |
12mil×10mil (300μm×250μm) |
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芯片厚度 |
3.40mil (85μm±10μm) |
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P、N金电极尺寸 |
F90μm |
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P、N金电极厚度 |
1μm |
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P－透明电极 |
ITO |
² 光电参数：(TC=22℃，IF=20mA)
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性能参数 |
符号 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
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正向电压（V） |
VF1 |
IF=20mA |
3.0 |
3.2 |
3.4 |
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正向电压（V） |
VF2 |
IF=5mA |
2.5 |
2.8 |
3.0 |
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反向电流（μA） |
IR |
VR=8V |
|
0.0 |
0.1 |
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反向电压（V） |
VZ |
IR=10μA |
10 |
25 |
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半谱宽度（nm） |
HW |
IF=20mA |
|
21 |
25 |
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主波长（nm） |
λd |
IF=20mA |
445 |
|
447.5 |
|
447。5 |
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450 |
|||
|
450 |
|
452.5 |
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| 452.5 |
|
455 |
|||
| 455 |
|
457.5 |
|||
| 457.5 |
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460 | |||
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发光强度（mcd） |
IV |
IF=20mA |
30 |
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40 |
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40 |
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50 |
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50 |
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60 |
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60 |
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70 |
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70 |
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80 |
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80 |
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100 |
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100 |
|
130 |
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最大电流（mA） |
Imax |
DC |
30 |
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² 注释：
(1)抗静电能力：人体模式2000V通过率80％以上。
(2)产品传送及封装过程中应有静电保护。
(3)光电系数均系蓝光科技测试仪器在晶圆条件下测试，99％符合标称值范围。
(4)上海蓝光可接收客户特殊规格。
