这时使用反向追迹来查看就比较麻烦了，因为反向追迹所显示的光线都是随机产生的，如果你要查看产生该区域能量的光线路径，那么你就需要让反向追迹显示大量光线，显示了还不一定能看清楚（因为光线太多可能会干扰视线）。为了解决这种问题，LightTools 8.1版本新增加了局部分析功能，这个功能提供一个简单而快速的方法来帮助我们分析这类问题。那么此次简报我们就来学习如何使用该功能。
如下图所示，我们这个例子比较简单，使用一颗LED光源和一个接收器。LED光源的具体构造由LED芯片，反光碗，电极线，外透镜组成，模拟完成后在接收器上可以看到该LED的整体照度能量分布。
图1：LED模型
查看照度能量分布结果，在菜单栏依次选择Analysis>Illuminance Display>LumViewer ，这时我们可以清楚的看到在这个能量环的正下方有一个凹陷区域，这个凹陷区域是怎么形成的？我们如何查找出它形成的原因呢？这时我们就可以使用局部分析功能来检查该凹陷区域形成的原因。
图2：照度模拟图
依次在菜单栏选择Ray Trace > Simulation Input >Data Collection 并在正forward receiver_32处点击勾起 Collect Region Analysis Data 选项。然后在Forward对话框中输入模拟光线数为2,000,000根光线，最后点击开始正向追迹。
图3：模拟输入
设置好模拟输入后，我们再打开照度模拟图（Analysis>Illuminance Display>LumViewer），在该图上方菜单栏中点击Region按钮，然后在照度模拟图中选择凹陷区域（目前局部分析功能只能选择矩形区域）。设置完后，我们回到3D视图窗口，在显示光线下拉菜单中选择Show only Region Analysis Rays，这样在3D视图窗口就会只显示与该凹陷区域有关的光线路径（即形成凹陷的原因）。
图4：设置观察区域
图5：显示设置
根据所显示的路径，我们放大LED发光区域后可以清楚的看到产生该凹陷区域的原因，就是电极线遮挡了一部分光线（电极线吸收或反射一部分光），最终造成该区域的能量凹陷现象。找出产生原因后，如果你还想观察该区域到底有多少能量时，你可以打开illuminance mesh属性对话框，在Region Results窗口查看该区域详细模拟参数，这些模拟结果参数取决于你所选取的局部区域大小和位置，当然你也可以在Region窗口设置局部区域的具体位置和大小（我们前面是手动在照度模拟图上描述的）。
图6：详细路径
图7：具体模拟结果参数
总结：局部分析功能提供一种简单又快速的方法帮助我们分析接收器上某一区域能量分布问题，并且可以在3D视图中显示出产生该区域能量分布的具体路径。
