我国LED芯片技术空白点及LED芯片重点技术
1、我国LED芯片的技术空白点
2、倒装结构LED芯片技术
全球倒装结构LED芯片专利技术主要掌握在日本、美国和我国以及我国台湾地区，分别占全球总量的29.21%、21.22%、12.67%和9.66%。中国台湾地区企业已进入原本被美国和日本所垄断的全球市场参与竞争，并且具有发展潜力。
倒装芯片技术的主要技术专利集中在倒装系统配备、微前倾类型、N型P型、导电类型、加工基元、支架系统等方面。倒装结构的专利技术国内专利的IPC分类主要集中在以下三个问题：具有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用与光发射，如红外线发射的半导体器件；制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L33/00，43.99%）；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于发射，如红外线发射的半导体器件；制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；这些半导体器件的零部件以半导体封装为特征（H01L33/48，7.33%）；包含在H01L33/00组类型的器件（H01L25/075,4.69%）。
3、 垂直结构LED芯片技术
垂直结构的LED芯片技术主要掌握在日本、美国、韩国以及我国。我国与日本、美国以及韩国相比有较大差距，在竞争实力方面不够高不够强，亟待进一步发展。垂直结构LED芯片的技术要点主要集中在倾斜结构制造、解决Si衬底板问题、金属垂直粘帖、去除接触莫、P型N型放射层、激光发射过程、SiAI外延片、SiC外延层等方面。
除了以上两种技术路线外，还有LED芯片前瞻技术纳米线技术，纳米线技术具有物理。化学性质，是发展近红外-可见-紫外波段半导体电子器件的首选材料。在LED的芯片领域和外延生长方面有非常好的前景和优势。其技术主要集中在发光二极管、纳米材料电子注入方法、透明导电体、晶体光耗尽区、氧化硅激光器件、双电极金属材料和纳米线阵列制作方法等方面，尤其是发光二极管和纳米材料电子注入方法两个技术点最为重要，也是专利布局最为集中的区域。
小结：全球LED芯片的专利主要申请国集中在德国欧司朗、荷兰飞利浦、韩国LG和日本夏普等大型跨国公司；全球LED芯片技术主要分布于解决发光反射、LED结构、刻蚀、薄膜、等离子刻蚀、P型N型接触等方面；全球LED倒装芯片技术主要分布在倒装系统装配、微前倾类型、N型P型、导电类型、加工基元、支架系统等方面；LED垂直芯片技术主要集中在倾斜结构制造、解决Si衬底问题、金属垂直粘贴、去除接触膜、P型N型放射层、激光发射过程、SiC外延层等方面。
我国的LED芯片专利申请量落后于日本和美国，主要因为日本和美国在该领域起步较早。我国的在LED芯片技术空白点主要有包含树脂化合物、薄膜、衬底综合安装、光电二极管的区域电流、载流子诸如区域、活性层的刻蚀和电流及N型P型区等方面。
芯片技术的主要攻关关键技术：
1、 透明导电薄膜制备技术。优化ITO导电薄膜的制备工艺，开发ZnO等新一代透明导电薄膜技术。
2、 电极材料及形状的研发。为解决大功率LED的电流扩散问题，优化大功率LED电极材料的选择和电极形状的设计。
3、 提高芯片发光效率的设计。优化芯片粗化技术和应用光子晶体，提高芯片出光率技术，积极研发以纳米纤维技术提高芯片发光效率。
4、 芯片新型结构设计。完善倒装、垂直结构、高压和交流芯片技术，使之达到产业化规模生产。积极支持新型器件研发，包括翼行结构、其他新型结构等。
5、 芯片可靠性。组织研究芯片可靠性的技术队伍，研究芯片的失效机理，从材料，结构提高芯片的可靠性，包括抗静电能力、抗漏电能力等。
6、 芯片工艺设备研发。目前，芯片产业的关键设备主要依赖进口，如国产离子刻蚀设备、衬底剥离设备尚不能满足市场需求。
