实际设计
下一步，我们将验证BoostPak系列能够在实际设计中限制漏电流，因此我们开发了一款评估板，并在多种条件下进行测试。图4为基本设计，BoostPak系列高亮显示。
图4.LED背光中的BoostPak
该设计针对35W升压拓扑，使用连续电流模式(CCM)操作。输入电压范围为20.4V至27.6V，采用单通道直流输出，恒定电流值为640mA(55V)。我们采用BoostPak系列的FDD8500N10LD版本。
在CCM操作期间，二极管反向恢复电流增加MOSFET的导通损耗。NP二极管提供低反向恢复电流，对MOSFET的影响更小。
测试温度与EMI
我们在设计BoostPak产品时，牢记两个目标。首先，我们希望将器件壳的工作温度保持在65℃以下。其次，我们希望满足电磁干扰(EMI)的通用规格，将EMI保持在CISPR22B类标准规定的限值以下。
我们测量了饱和温度。如表2所示，在24V输入电压(VIN)的情况下，BoostPak系列温度保持在61.5℃，低于65℃的目标。
表2.VOUT=55V(35W)时的测试结果
接着，我们通过检查五串LED负载时的辐射量，测试EMI。图5显示VIN为24V时的结果。
图5.辐射量：VIN=24V
在30MHz至1000MHz的子频率范围内，辐射量远低于CISPR22B类的额定限值。
结论
测试结果显示飞兆半导体的BoostPak系列（以单个100VBoostPak替代100VMOSFET和100V肖特基二极管）低漏电流二极管满足工作温度下必须的性能和EMI要求。同时，使用BoostPak系列可让设计的尺寸更小、更紧凑，并且更易于组装。在成本竞争型应用中，如屏幕尺寸小于40英寸的LED电视机，这些优势可让产品脱颖而出。BoostPak方法还可节省其他应用的成本，比如LED照明系统和升压/降压操作DC-DC转换器。
