1、三步麦克亚当椭圆分选。
2、色坐标低于黑体辐射轨迹线。
3、显色指数大于90.
时间过去半年多了，这三个指标有谁能做的比较好？
一、测试数据
规格书上是这样写的：
实际测试出来是这样的：
实测数据时，2705lm@700mA; 规格书中提示 2940lm@750mA，根据推测符合规格书中标称值。实际测试显示指数96，R9大于95。
二、色坐标
规格书上是这样写的
图中的红点，为实际测试数据坐标点，完全落入三步麦克亚当椭圆内，且色坐标点低于黑体辐射轨迹线。
实际测试数据如下：
同时以上数据也反映了不同温度下的光通量和色坐标的变化。通过数据可以发现，温度从25°~105° 光通量变量-14%，X：0.0003；Y：0.0085。
规格书中的温度变化和光通量的曲线图
图中以25°为100%光通输出，在105°时光通维持率84%，规格书和实测数据一致。
看到以上这些测试数据，这款COB已经是达到了很高的技术水平。再来看看这款产品有哪些特殊性。
通过X射线下观察到由12串7并，共84颗芯片组成。芯片呈品字形交叉排布，整体上近似圆形。从整体上看排布很规整，金线焊接也很有条理。在芯片到支架的两端位置，可发现金线焊点处有大小不一的点，经过实物解剖发现，是导电胶。芯片到支架上的金线焊接质量非常关键，且受支架表面处理的影响，在焊接点周围增加了导电胶能起到很好的焊点保护功能。
这款产品采用镜面铝压合基板，正装芯片，发光区域是由围堰胶形成。从外观上看，围堰胶接头处平滑。荧光胶平面低于围堰胶平面，类似于西铁城的做法，这样可避免部分周围黄圈现象。
这张图主要看Tc Point ，温度测试点。这款产品的温度测试点是在铝基材上，将上层的线路层镂空形成一个裸露的底部基材平面，这一平面同时也是芯片固定的平面，可很好的反应芯片的实际温度。之前和很多朋友聊过这个问题。温度测试点具体要放在什么地方才合适？大家都没有定论。个人观点是温度测试点越接近芯片实际温度越好。
