严格讲，是要淘汰金属基 COB。我公司 COB 技术已经经历了 2 代，陶瓷基 COB 是第三代。前两代均是金 属基技术。我们知道，COB 是将 LED Chips 直接邦定(bonding)于导热基板上,基板的特性直接影响到最终
光源的可靠性及光电指标。金属基 COB 技术的瓶颈源于金属的固有特性，高热膨胀系数、高导电性、低光反射率等。 瓶颈 1：难以克服的热应力 用于基板的金属主要是铝和铜，其热膨胀系数远大于晶粒的衬底，如表一 表一：LED 封装材料热膨胀系数
材料 热膨胀系数：AL 铝 23Cu 铜 17.5 Al2O3陶瓷 5.4 LED Chips 蓝宝石衬底5.4金属基 COB LED 工作在冷热循环的过程中，晶粒将承受很大的热应力及应力冲击，有极大机会发生开 焊，导致热量无法导出而在局部富集碳化。热应力是金属基 COB 封装的头号敌人。
2：难以提高的光效
相对而言，铝和铜的光反射率都较低。提高光反射率都主要靠镀银实现。大多做到 60-70lm/w。在不计成本的情况下，大体也只能做到 80lm/w。
另一方面，金属基由于镀银的原因，线路的可焊性有很大不确定因素。为避免固晶焊线风险，多数厂 家选择大尺寸芯片以减少焊线及固晶数量。LED 芯片的出光效率随驱动电流的升高而降低，也是金属基 COB 光效难以提高的一个因素 瓶颈 3：MCPCB 的导热系数低：由于金属的导电性，MCPCB 的线路与基板之间必须有绝缘层，绝缘层也是隔热层，使得 MCPCB 的导热 ：系数一般在 0.8-2 之间。对于瓦级 COB，芯片一般都固于镀银的铜线路上，铜铝的高导热优势荡然无存。十瓦级 COB 的热密度极大，芯片固于镀银的铜线路上是非常不可取的，而要去除绝缘层将付出较高代价。直接固晶在镀银无线路金属基上可以很好解决导热问题，却增加了焊线的困难，焊线不良一直是 COB 封装 厂家头疼的问题。同时，依然无法回避热膨胀系数悬殊的问题。 陶瓷基 COB 的优势：陶瓷的热膨胀系数与 Chips 的蓝宝石衬底的热膨胀系数接近，陶瓷基 COB 不仅彻底解决了可靠性问题，其高出光效率和低热阻向前迈进了一大步，高绝缘性更是解决了铝基 COB 和铝基板焊装 LED 方 法组装灯具无法过高压的问题。Lume 的 COB 使用小芯片集成技术，具备高可靠、高光效、高绝缘、低热阻
三高一低特征 ：高可靠 高光效 高绝缘 低热阻
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